شبیه سازی برخورد قطره با فیلم نازک مایع به کمک مدل چندفازی شبه پتانسیل

شبیه سازی برخورد همزمان دو قطره موازی بر روی لایه ی نازک مایع با استفاده از روش شبکه بولتزمن

در این مقاله برخورد همزمان دو قطره ی موازی بر روی فیلم نازک مایع به روش شبکه بولتزمن مورد بررسی قرار می گیرد. هدف از این پژوهش بررسی تأثیر مقدار کشش سطحی (در قالب عدد وبر)، فاصله بین دو قطره و لزجت سینماتیک گاز بر روی برخورد است. مدل عددی توسعه داده شده در این مقاله که بر پایه مدل دوفازی تک جزئی شان و چن است، امکان دست یابی به نسبت چگالی هایی به بزرگی 1000، لزجت های کم و تنظیم مقدار کشش سطحی مس...

شبیه سازی عددی و مدل تحلیلی برخورد مایل قطره با سطح زیرلایه در فرایند لایه نشانی به روش پاشش حرارتی

تحلیل عددی برخورد قطره به فیلم دیواره

در این پایان نامه، پدیده برخورد قطره به فیلم مایع با فرض تقارن محوری مدل سازی شده است. معادلات ناویر-استوکس با روش حجم محدود گسسته سازی شده و سطح مشترک دو فاز با استفاده از روش حجم سیال‎(vof‎ ) به دست می آید و به منظور بدست آوردن سطح مشترک دو فاز با صحت بیشتر از تکنیک شبکه انطباقی چهارگانه استفاده شده است. نتایج عددی حاصل با نتایج آزمایشگاهی موجود مقایسه شده است. اثرات چگالی گاز، لزجت گاز، ضخام...

شبیه سازی برخورد نانو قطره به سطح مورب در فرآیند ایجاد پوشش های نانویی توسط دینامیک مولکولی

پوشش دادن سطوح توسط نانوذرات، کاربردهای وسیعی در صنعت دارد. بسیاری از سطوح بصورت مورب در مقابل نازل پاشش قرار می­گیرند که باعث برخورد مایل نانو قطره با سطح می­شود. در این مطالعه، توسط شبیه­سازی دینامیک مولکولی، برخورد نانو قطره با یک سطح مورب بررسی شده و میزان پخش قطره روی سطح مورب و در زوایا و سرعت­های برخورد متفاوت، مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج نشان می­دهد که نسبت پخش شدن نانو قطر...

بررسی اثرات نسبت چگالی بر عملکرد مدل شبه‌پتانسیل در شبیه سازی جریان‌های چندفازی

در این پژوهش، قابلیت و عملکرد مدل توسعه‌یافته‌ شبه‌پتانسیل شان – چن برای شبیه‌سازی جریان‌های چندفازی در نسبت چگالی بالا مورد ارزیابی قرار گرفته است. این مدل در نرم افزار آزاد و متن‌باز پالابوس که جریان سیال را با استفاده از روش شبکه بولتزمن شبیه‌سازی می کند پیاده‌سازی شده است. برای این منظور چندین مساله رایج از جمله آزمون لاپلاس، جدایی فازها، به هم آمیختگی دو حباب، برخورد قطره با سطح جامد و مای...

مدل سازی و شبیه سازی اثر دمای زیر لایه بر واکنش های سطحی در رشد فیلم نازک GaAs به روش تبخیر شیمیایی

در این کار، شبیه سازی رشد لایه ی نازکGaAs به کمک روش تبخیر شیمیایی در محیط نرم افزار COMSOL Multiphysics انجام گردیده است. به منظور مقایسه نتایج شبیه سازی با نتایج تجربی، تمامی جزییات شبیه سازی و واکنش های مربوط به تشکیل GaAs بر مبنای یک آزمایش تجربی و نتایج آن صورت گرفت.جزئیات مراحل تعریف واکنش ها، طراحی محفظه، مطالعه روابط شیمیایی و ترمودینامیکی مربوطه و تحلیل مش ها شرح داده شد. پارامتر هایی ...